Embodiments include a semiconductor device including a well structure such
that well areas can be formed with a higher density of integration and a
plurality of high-voltage endurable transistors can be driven
independently of one another with different voltages, and a method of
manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may
include a triple well comprising a first well formed in a silicon
substrate and having a first conductivity type (P-type), a second well
formed in adjacent relation to the first well and having a second
conductivity type (N-type), and a third well formed in the second well and
having the first conductivity type (P-type). A high-voltage endurable
MOSFET is provided in each of the wells. Each MOSFET has an offset area in
the corresponding well around a gate insulating layer. The offset area is
formed of a low-density impurity layer which is provided under an offset
LOCOS layer on the silicon substrate.
Les modes de réalisation incluent un dispositif de semi-conducteur comprenant une structure bonne tels que des secteurs bons peuvent être formés avec une densité plus élevée de l'intégration et une pluralité de transistors supportables à haute tension peut être conduite indépendamment d'un un autre avec différentes tensions, et une méthode de fabriquer le dispositif de semi-conducteur. Le dispositif de semi-conducteur peut inclure un puits de triple comportant un premier bon formé dans un substrat de silicium et faisant former bien un premier type de conductivité (P-type), une seconde dans la relation adjacente au premier bon et à avoir un deuxième type de conductivité (N-type), et un tiers être bien formé le puits de seconde et en ayant le premier type de conductivité (P-type). Un transistor MOSFET supportable à haute tension est fourni dans chacun des puits. Chaque transistor MOSFET a un secteur excentré dans la correspondance bien autour d'une couche de isolation de porte. Le secteur excentré est constitué d'une couche à basse densité d'impureté qui est fournie sous une couche excentrée de LOCOS sur le substrat de silicium.
