A semiconductor device having: an underlie having a conductive region in
the surface layer of the underlie; an insulating etch stopper film
covering the surface of the underlie; an interlayer insulating film formed
on the insulating etch stopper film; a wiring trench formed in the
interlayer insulating film, the wiring trench having a first depth from
the surface of the interlayer insulating film; a contact hole extending
from the bottom surface of the wiring trench to the surface of the
conductive region; and a dual damascene wiring layer embedded in the
wiring trench and the contact hole, wherein the interlayer insulating film
includes a first kind of an insulating layer surrounding the side wall and
bottom surface of the wiring trench and a second kind of an insulating
layer having etching characteristics different from the first kind of the
insulating layer. The semiconductor device is provided which can protect
the underlying conductive region sufficiently and has a dual damascene
wiring layer having a high reliability and a small wiring capacitance.
Un dispositivo de semiconductor que tiene: un ser la base que tiene una región conductora en la capa superficial del ser la base; una película aislador del tapón del grabado de pistas que cubre la superficie del ser la base; una película aislador de la capa intermediaria formó en la película aislador del tapón del grabado de pistas; un foso del cableado formó en la película aislador de la capa intermediaria, el foso del cableado que tenía una primera profundidad de la superficie de la película aislador de la capa intermediaria; un agujero del contacto que extiende del fondo del foso del cableado a la superficie de la región conductora; y una capa damasquina dual del cableado encajada en el foso del cableado y el agujero del contacto, en donde la película aislador de la capa intermediaria incluye una primera clase de una capa de aislamiento que rodea el fondo lateral del pared y del foso del cableado y una segunda clase de una capa de aislamiento que tiene características de la aguafuerte diferentes de la primera clase de la capa de aislamiento. Se proporciona el dispositivo de semiconductor que puede proteger la región conductora subyacente suficientemente y tiene una capa damasquina dual del cableado el tener de una alta confiabilidad y de una capacitancia pequeña del cableado.
