An electron beam exposure apparatus for exposing a wafer includes: a
multi-axis electron lens operable to converge a plurality of electron
beams independently of each other; and a lens-intensity adjuster including
a substrate provided to be substantially parallel to the multi-axis
electron lens, and a lens-intensity adjusting unit operable to adjust the
lens intensity of the multi-axis electron lens applied to the electron
beams passing through the lens openings, respectively.
Een apparaat van de elektronenstraalblootstelling om een wafeltje bloot te stellen omvat: een multi-axis opereerbare elektronenlens om een meerderheid van elektronenstralen onafhankelijk van elkaar samen te komen; en een lens-intensiteit regelaar met inbegrip van een substraat wezenlijk parallel dat wordt om met de multi-axis elektronenlens zijn, en een lens-intensiteit het aanpassen opereerbare eenheid om de lensintensiteit van de multi-axis elektronenlens aan te passen die op de elektronenstralen wordt toegepast verstrekt die door de lensopeningen overgaan, respectievelijk.
