In a semiconductor device, an active region is formed in a semiconductor
substrate separated by a plurality of isolation regions. A plurality of
surface insulating films of different thickness are formed separately on
the active region. A plurality of conductive films are formed on the
respective insulating films. Then, one of the surface insulating film
having smaller thickness is caused to break down to work as an electric
fuse.
Dans un dispositif de semi-conducteur, une région active est formée dans un substrat de semi-conducteur séparé par une pluralité de régions d'isolement. Une pluralité de films isolants de surface d'épaisseur différente sont formées séparément sur la région active. Une pluralité de films conducteurs sont formées sur les films isolants respectifs. Puis, un du film isolant extérieur ayant une plus petite épaisseur est causé au au décomposition pour travailler comme fusible électrique.
