Semiconductor die package with increased thermal conduction

   
   

In one exemplary embodiment, a structure comprises a substrate having a core, a top surface and a bottom surface. A substrate die pad is situated on the top surface of the substrate and is capable of receiving a die, and a heat spreader is situated on the bottom surface of the substrate. The substrate further comprises a first metal cap, at least one buried via, and a second metal cap. The first metal cap is situated below and is thermally coupled to the substrate die pad. The at least one buried via is situated below the first metal cap within the core of the substrate. The second metal cap is situated below the at least one buried via and is thermally coupled to the second metal cap.

Em uma incorporação exemplary, uma estrutura compreende uma carcaça que tem um núcleo, uma superfície superior e uma superfície inferior. Uma almofada do dado da carcaça situated na superfície superior da carcaça e é capaz de receber um dado, e um propagador do calor situated na superfície inferior da carcaça. A carcaça mais adicional compreende um primeiro tampão do metal, ao menos um enterrado através de, e um segundo tampão do metal. O primeiro tampão do metal situated abaixo e é acoplado tèrmica à almofada do dado da carcaça. Ao menos enterrou através de situated abaixo do primeiro tampão do metal dentro do núcleo da carcaça. O segundo tampão do metal situated abaixo do ao menos enterrado através de e é acoplado tèrmica ao segundo tampão do metal.

 
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