In a non-volatile semiconductor memory, a large current can be flowed
through the memory cell during reading. The number of the column lines can
be reduced. The electron injection to the floating gates of the respective
memory cells is averaged to reduce the dispersion of the threshold
voltages thereof. The electron emission from the floating gates of the
respective memory cells is also averaged to reduce the dispersion of the
threshold voltages thereof. An increase in chip size due to latch circuits
can be prevented. By noting that either of a plurality of "0" or "1" of
the binary data are stored much in the memory cells of the memory cell
bundle or block, a negative threshold voltage is allocated to the memory
cells for storing the more bit side data of the binary data. A single
column line is used in common for the two adjacent memory blocks. To
inject electrons to the floating gates of the memory cells, voltage is
increased gradually and stopped when electrons have been injected up to a
predetermined injection rate. Electrons are once emitted from the floating
gates, and thereafter the electrons are injected again to store one of a
binary data. Further, the data latch circuits can be formed at any
positions remote from the memory cell array.
Σε μια αμετάβλητη μνήμη ημιαγωγών, ένα μεγάλο ρεύμα μπορεί να διατρεχτεί του κυττάρου μνήμης κατά τη διάρκεια της ανάγνωσης. Ο αριθμός των γραμμών στηλών μπορεί να μειωθεί. Η έγχυση ηλεκτρονίων στις επιπλέουσες πύλες των αντίστοιχων κυττάρων μνήμης υπολογίζεται κατά μέσο όρο για να μειώσει τη διασπορά των τάσεων αισθητηριακών ουδών επ' αυτού. Η εκπομπή ηλεκτρονίων από τις επιπλέουσες πύλες των αντίστοιχων κυττάρων μνήμης υπολογίζεται κατά μέσο όρο επίσης για να μειώσει τη διασπορά των τάσεων αισθητηριακών ουδών επ' αυτού. Μια αύξηση στο μέγεθος τσιπ λόγω στα κυκλώματα συρτών μπορεί να αποτραπεί. Με τη σημείωση ότι καθεμία μιας πολλαπλότητας "0" ή "1" των δυαδικών στοιχείων αποθηκεύεται πολύ στα κύτταρα μνήμης της δέσμης ή του φραγμού κυττάρων μνήμης, μια αρνητική τάση αισθητηριακών ουδών διατίθεται στα κύτταρα μνήμης για την αποθήκευση των περισσότερων δευτερευόντων στοιχείων κομματιών των δυαδικών στοιχείων. Μια ενιαία γραμμή στηλών χρησιμοποιείται από κοινού για τους δύο παρακείμενους φραγμούς μνήμης. Για να εγχύσει τα ηλεκτρόνια στις επιπλέουσες πύλες των κυττάρων μνήμης, την τάση αυξάνεται βαθμιαία και σταματούν όταν εγχεθούν τα ηλεκτρόνια μέχρι ένα προκαθορισμένο ποσοστό εγχύσεων. Τα ηλεκτρόνια εκπέμπονται μιά φορά από τις επιπλέουσες πύλες, και έκτοτε τα ηλεκτρόνια εγχέονται πάλι για να αποθηκεύσουν ένα από ένα δυαδικό στοιχείο. Περαιτέρω, τα κυκλώματα συρτών στοιχείων μπορούν να διαμορφωθούν σε οποιεσδήποτε θέσεις μακρινές από τη σειρά κυττάρων μνήμης.
