An ether compound of formula (1) is provided wherein R.sup.1 is H or
C.sub.1-6 alkyl, R.sup.2 is C.sub.1-6 alkyl, R.sup.3 is H, C.sub.1-15 acyl
or C.sub.1-25 alkoxycarbonyl which may be substituted with halogen atoms,
k is 0 or 1, m is from 0 to 3, and n is from 3 to 6. The ether compound is
polymerized to form a polymer having improved reactivity, robustness and
substrate adhesion. A resist composition comprising the polymer as a base
resin is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity,
resolution, and etching resistance, and lends itself to micropatterning
with electron beams or deep-UV.
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Un composé d'éther de la formule (1) est fourni où R.sup.1 est l'alkyl H ou C.sub.1-6, R.sup.2 est C.sub.1-6 l'alkyl, R.sup.3 est l'acyle H, C.sub.1-15 ou l'alkoxycarbonyl C.sub.1-25 qui peuvent être substitués avec des atomes d'halogène, k est 0 ou 1, m est de 0 à 3, et n est de 3 à 6. Le composé d'éther est polymérisé pour former un polymère ayant amélioré la réactivité, la robustesse et l'adhérence de substrat. Une composition en résistance comportant le polymère comme résine basse est sensible au rayonnement de grande énergie, a l'excellente sensibilité, la résolution, et graver à l'eau-forte la résistance, et se prête à micropatterning avec des faisceaux d'électrons ou profond-UV. ## du ## STR1
