According to one exemplary embodiment, a bipolar transistor comprises a
base having a top surface. The bipolar transistor further comprises a
sacrificial post which, in one exemplary embodiment, is situated between
first and second link spacers. The bipolar transistor also comprises a
conformal layer situated over the sacrificial post. The conformal layer
may comprise silicon oxide, for example. According to this exemplary
embodiment, the bipolar transistor further comprises a sacrificial
planarizing layer situated over the conformal layer, the sacrificial post,
and the base. The sacrificial planarizing layer has a first thickness in a
first region between the first and second link spacers and a second
thickness in a second region outside of the first and second link spacers,
where the second thickness is generally greater than the first thickness.
Another embodiment is a method that achieves the above-described bipolar
transistor.
De acordo com uma incorporação exemplary, um transistor bipolar compreende uma base que tem uma superfície superior. O transistor bipolar mais adicional compreende um borne sacrificial que, em uma incorporação exemplary, situated no meio primeiramente e segundos espaçadores da ligação. O transistor bipolar compreende também uma camada conformal situated sobre o borne sacrificial. A camada conformal pode compreender o óxido do silicone, para o exemplo. De acordo com esta incorporação exemplary, o transistor bipolar mais adicional compreende uma camada planarizing sacrificial situated sobre a camada conformal, o borne sacrificial, e a base. A camada planarizing sacrificial tem uma primeira espessura em uma primeira região entre os primeiros e segundos espaçadores da ligação e uma segunda espessura em uma segunda região fora dos primeiros e segundos espaçadores da ligação, onde a segunda espessura é geralmente mais grande do que a primeira espessura. Uma outra incorporação é um método que consiga o transistor bipolar above-described.
