A spin valve sensor includes a free layer structure which is located
between first and second spacer layers and the first and second spacer
layers are located between first and second AP pinned layer structures.
Each of the AP pinned layer structures has first and second AP pinned
layers with the first AP pinned layer of the first AP pinned layer
structure interfacing the first spacer layer and the first AP pinned layer
of the second AP pinned layer structure interfacing the second spacer
layer. The magnetic thickness of each of the first AP pinned layers is
either greater or less than the magnetic thickness of either of the second
AP pinned layers of the first and second AP pinned layer structures so
that a magnetic field oriented perpendicular to an air bearing surface
(ABS) of the sensor sets the magnetic moments of the first and second AP
pinned layer structures in-phase so that changes in resistances of the
sensor upon rotation of a magnetic moment of the free layer structure is
additive.
Un sensore della valvola di rotazione include una struttura libera di strato che è individuata in mezzo in primo luogo ed i secondi strati del distanziatore ed i primi e secondi strati del distanziatore sono individuati in mezzo in primo luogo e seconde strutture di strato appuntate AP. Ciascuna delle strutture di strato appuntate AP ha in primo luogo e secondi strati appuntati AP con il primo strato appuntato AP della prima struttura di strato appuntata AP che connette il primo strato del distanziatore ed il primo strato appuntato AP della seconda struttura di strato appuntata AP che connette il secondo strato del distanziatore. Lo spessore magnetico di ciascuno dei primi strati appuntati AP è più grande o di meno che lo spessore magnetico di uno dei secondi strati appuntati AP delle prime e seconde strutture di strato appuntate AP in modo che una perpendicolare orientata del campo magnetico ad una superficie del supporto dell'aria (ABS) del sensore regoli i momenti magnetici delle prime e seconde strutture di strato appuntate AP in-phase in modo che i cambiamenti nelle resistenze del sensore su rotazione di un momento magnetico della struttura libera di strato sia cumulativi.
