Merging together the drift regions in a low-power trench MOSFET device via
a dopant implant through the bottom of the trench permits use of a very
small cell pitch, resulting in a very high channel density and a uniformly
doped channel and a consequent significant reduction in the channel
resistance. By properly choosing the implant dose and the annealing
parameters of the drift region, the channel length of the device can be
closely controlled, and the channel doping may be made highly uniform. In
comparison with a conventional device, the threshold voltage is reduced,
the channel resistance is lowered, and the drift region on-resistance is
also lowered. Implementing the merged drift regions requires incorporation
of a new edge termination design, so that the PN junction formed by the P
epi-layer and the N.sup.+ substrate can be terminated at the edge of the
die.
Die Antriebregionen in einer Niederleistungsgraben MOSFET Vorrichtung über ein Dopantimplantat durch die Unterseite des Grabenerlaubnisgebrauches von einem sehr kleinen Zelle Taktabstand, resultierend in einer sehr hohen Führung Dichte und eine gleichmäßig lackierte Führung und eine konsequente bedeutende Verringerung des Führung Widerstandes zusammen sind vermischen. Indem sie richtig die Implantat Dosis und die Ausglühenparameter der Antriebregion wählt, kann die Kanallänge der Vorrichtung genau kontrolliert sein, und das Führung Lackieren kann in hohem Grade konstant gebildet werden. Im Vergleich mit einer herkömmlichen Vorrichtung wird die Schwelle Spannung verringert, wird der Führung Widerstand gesenkt, und der Antriebregion Aufwiderstand wird auch gesenkt. Das Einführen der vermischten Antriebregionen erfordert Gesellschaftsgründung eines neuen Randendpunktdesigns, damit die PN Verzweigung, die durch den P Epi-layer und das N.sup.+ Substrat gebildet wird, am Rand des Würfels geendet werden kann.
