Heat transfer structure for a semiconductor device utilizing a bismuth glass layer

   
   

The present invention is a semiconductor apparatus having at least a part of a semiconductor device conjugated to a metal material for heat sink via an electric insulating material, wherein said electric insulating material is a bismuth glass layer.

La presente invenzione è un'apparecchiatura a semiconduttore che ha almeno una parte di un dispositivo a semiconduttore coniugato ad un materiale del metallo per il dissipatore di calore via un materiale isolante elettrico, in cui il materiale isolante elettrico detto è uno strato di vetro del bismuto.

 
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< Semiconductor device

< Composite lid for land grid array (LGA) flip-chip package assembly

> Stackable layers containing encapsulated integrated circuit chips with one or more overlying interconnect layers

> Electronic device having a trimming possibility and at least one semiconductor chip and method for producing the electronic device

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