A process for minimizing lateral spacer erosion of an insulating layer
adjacent to a contact region and an apparatus whereby there is provided a
contact opening with a small alignment tolerance relative to a gate
electrode or other structure are disclosed. The process includes the steps
of forming a conductive layer on a semiconductor body, then depositing an
insulating layer adjacent to the conductive layer. Next, substantially
rectangular insulating spacers are formed adjacent to the gate electrode.
An etch stop layer is deposited adjacent the insulating layer, followed by
an etch to remove the etch stop layer material from the contact region.
This etch is conducted under conditions wherein the etch removes the etch
stop layer, but retains the substantially rectangular lateral spacer
profile of the first insulating layer. The apparatus is capable of
maintaining high quality contacts between the conductive material in the
contact region and an underlying device region such as a source or drain,
or some other layer or structure, and is an effective structure for small
feature size structures, particularly self-aligned contact structures.
Ein Prozeß für die Minderung der seitlichen Distanzscheibe Abnutzung einer Isolierschicht neben einer Kontaktregion und ein Apparat, hingegen einer Kontaktöffnung mit einer kleinen Ausrichtung Toleranz im Verhältnis zu einer Gate-Elektrode oder anderer Struktur versehen wird, werden freigegeben. Der Prozeß schließt die Schritte der Formung einer leitenden Schicht auf einem Halbleiterkörper ein und dann legt eine Isolierschicht neben der leitenden Schicht nieder. Zunächst werden im wesentlichen rechteckige isolierende Distanzscheiben neben der Gate-Elektrode gebildet. Eine Ätzungendschicht ist- die Isolierschicht niedergelegtes angrenzendes, gefolgt von einer Ätzung, um das Ätzungendschichtmaterial von der Kontaktregion zu entfernen. Diese Ätzung wird unter Bedingungen geleitet, worin die Ätzung die Ätzungendschicht entfernt, aber das im wesentlichen rechteckige seitliche Distanzscheibe Profil der ersten Isolierschicht behält. Der Apparat ist zum Beibehalten der hohe Qualitätskontakte zwischen dem leitenden Material in der Kontaktregion und eine zugrundeliegende Vorrichtung Region wie eine Quelle oder ein Abfluß oder irgendeine andere Schicht oder Struktur fähig und ist eine wirkungsvolle Struktur für kleine Eigenschaft Größe Strukturen, besonders Selbst-ausgerichtete Kontaktstrukturen.
