Magnetic memory elements and methods for forming the same, where a magnetic
memory element includes an etch stop layer disposed between a lower
electrode and a magnetoresistive cell body or stack. The etch stop layer
advantageously protects the lower electrode during patterning of the
magnetoresistive cell body. The etch stop layer can be patterned with
patterning of the magnetoresistive cell body. The etch stop layer can be
formed from conductive materials or from resistive materials. When the
etch stop layer is formed from resistive materials, the etch stop layer
forms an in situ resistor that can isolate a failed memory cell from other
memory cells in a corresponding array of cells, such as in an MRAM. This
permits the MRAM to continue to utilize other magnetoresistive cells that
are coupled to the electrodes in the event of a failure of the
magnetoresistive cell.
Elementi e metodi magnetici di memoria per formare lo stesso, dove un elemento magnetico di memoria include uno strato di arresto incissione all'acquaforte disposto di fra un elettrodo più basso e un corpo delle cellule o una pila magnetoresistente. Lo strato di arresto incissione all'acquaforte protegge vantaggiosamente l'elettrodo più basso durante il modello del corpo magnetoresistente delle cellule. Lo strato di arresto incissione all'acquaforte può essere modellato con il modello del corpo magnetoresistente delle cellule. Lo strato di arresto incissione all'acquaforte può essere formato dai materiali conduttivi o dai materiali resistenti. Quando lo strato di arresto incissione all'acquaforte è formato dai materiali resistenti, lo strato di arresto incissione all'acquaforte forma un resistore in situ che può isolare una cellula di memoria guastata da altre cellule di memoria in un allineamento corrispondente delle cellule, quale dentro un MRAM. Ciò consente il MRAM di continuare ad utilizzare altre cellule magnetoresistenti che sono accoppiate agli elettrodi in caso di un guasto della cellula magnetoresistente.
