Embodiments of the invention generally provide a method of forming an air
gap between conductive elements of a semiconductor device, wherein the air
gap has a dielectric constant of approximately 1. The air gap may
generally be formed by depositing a dielectric material between the
respective conductive elements, depositing a porous layer over the
conductive elements and the dielectric material, and then stripping the
dielectric material out of the space between the respective conductive
elements through the porous layer, which leaves an air gap between the
respective conductive elements. The dielectric material may be, for
example, an amorphous carbon layer, the porous layer may be, for example,
a porous oxide layer, and the stripping process may utilize a downstream
hydrogen-based strip process, for example.
Воплощения вымысла вообще обеспечивают метод формировать зазор воздуха между проводными элементами прибора на полупроводниках, при котором зазор воздуха имеет диэлектрическую константу приблизительно 1. Зазор воздуха может вообще быть сформирован путем депозировать диэлектрический материал между соответственно проводными элементами, депозируя пористый слой над проводными элементами и диэлектрическим материалом, и после этого раздевая диэлектрический материал из пространства между соответственно проводные элементы через пористый слой, который оставляет зазор воздуха между соответственно проводными элементами. Диэлектрический материал может быть, например, аморфический слой углерода, пористый слой может быть, например, пористый слой окиси, и раздевая процесс могут использовать ниже по течению водопод-osnovanny1 процесс прокладки, например.
