When an arsenic ion (As.sup.+) large in mass is injected, polysilicon films
are covered with a fifth resist mask so as to cover an end of the resist
mask covering the polysilicon films to form a PMOS forming region. Through
this process, a silicide non-forming region is arranged not to overlap
with a pn junction to prevent the silicide non-forming region from
increasing in resistance.
Wenn ein arsenhaltiges Ion (As.sup.+) groß in der Masse eingespritzt wird, werden polysilicon Filme mit einem Fünftel widerstehen Schablone, um ein Ende der widerstehenschablone zu umfassen bedeckt, welche die polysilicon Filme bedeckt, um einen PMOS zu bilden, der Region bildet. Durch diesen Prozeß wird eine nicht-bildenregion des Silicide, um sich geordnet nicht mit einer pn Verzweigung zu decken, um die nicht-bildenregion des Silicide an der Erhöhung des Widerstandes zu verhindern.
