A method of fabricating a gate dielectric layer. The method comprises:
providing a substrate; forming a silicon dioxide layer on a top surface of
the substrate; exposing the silicon dioxide layer to a plasma nitridation
to convert the silicon dioxide layer into a silicon oxynitride layer; and
performing a spiked rapid thermal anneal of the silicon oxynitride layer.
Un metodo di fabbricare uno strato del dielettrico del cancello. Il metodo contiene: fornire un substrato; formare uno strato del diossido del silicone su una superficie superiore del substrato; esponendo lo strato del diossido del silicone ad un nitridation del plasma per convertire lo strato del diossido del silicone in strato di oxynitride del silicone; ed effettuando un thermal veloce appuntito tempri dello strato di oxynitride del silicone.
