An improved nanotip structure and method for forming the nanotip structure
and a display system using the improved nanotip structure is described.
The described nanotip is formed from a semiconductor having a crystalline
structure such as gallium nitride. The crystalline structure preferably
forms dislocations oriented in the direction of the nanotips. One method
of forming the nanotip structure uses the relatively slow etching rates
that occur around the dislocations compared to the faster etch rates that
occur in other parts of the semiconductor structure. The slower etching
around dislocations enables the formation of relatively high aspect ratio
nanotips in the dislocation area.
Une structure et une méthode améliorées de nanotip pour former le nanotip structurent et un système de visualisation employant la structure améliorée de nanotip est décrit. Le nanotip décrit est formé d'un semi-conducteur ayant une structure cristalline telle que la nitrure de gallium. La structure cristalline forme de préférence des dislocations orientées dans la direction des nanotips. Une méthode de former la structure de nanotip emploie les taux relativement lents gravure à l'eau-forte qui se produisent autour des dislocations comparées aux vitesses plus rapides gravure à l'eau forte qui se produisent dans d'autres parties de la structure de semi-conducteur. Gravure à l'eau-forte plus lente autour des dislocations permet la formation des nanotips relativement élevés d'allongement dans le secteur de dislocation.
