An AlN film as an underlayer is epitaxially grown on a substrate having a
dislocation density of 10.sup.11 /cm.sup.2 or below and a crystallinity of
90 seconds or below in full width at half maximum (FWHM) of an X-ray
rocking curve at (002) reflection. Then, on the AlN film an n-GaN film is
epitaxially grown as a conductive layer having a dislocation density of
10.sup.10 /cm.sup.2 or below and a crystallinity of 150 seconds or below
in full width at half maximum (FWHM) of an X-ray rocking curve at (002)
reflection, to fabricate a semiconductor element.
Μια ταινία AlN ως underlayer αυξάνεται epitaxially σε ένα υπόστρωμα που έχει μια πυκνότητα εξάρθρωσης 10.sup.11/$l*cm.sup.2 ή κατωτέρω και μιας διαύγειας 90 δευτερολέπτων ή κατωτέρω στο πλήρες πλάτος στο μισό μέγιστο (FWHM) μιας των ακτίνων X λικνίζοντας καμπύλης (002) στην αντανάκλαση. Κατόπιν, στην ταινία AlN μια ταινία ν- gaN αυξάνεται epitaxially ως αγώγιμο στρώμα που έχει μια πυκνότητα εξάρθρωσης 10.sup.10/$l*cm.sup.2 ή κατωτέρω και μιας διαύγειας 150 δευτερολέπτων ή κατωτέρω στο πλήρες πλάτος στο μισό μέγιστο (FWHM) μιας των ακτίνων X λικνίζοντας καμπύλης (002) στην αντανάκλαση, για να κατασκευάσει ένα στοιχείο ημιαγωγών.
