A semiconductor switching device (10) is formed on a semiconductor
substrate (12) having a trench (44) formed on one of its surfaces (42). A
control electrode (32) activates a wall of the trench to form a conduction
channel (36). A first conduction electrode (40) is disposed on the
semiconductor substrate to have a first doped region (34) for receiving a
current and a second doped region (24) for routing the current to the
conduction channel.
Μια συσκευή μετατροπής ημιαγωγών (10) διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών (12) που έχει μια τάφρο (44) διαμορφωμένη σε μια από τις επιφάνειές της (42). Ένα ηλεκτρόδιο ελέγχου (32) ενεργοποιεί έναν τοίχο της τάφρου για να διαμορφώσει ένα κανάλι διεξαγωγής (36). Ένα πρώτο ηλεκτρόδιο διεξαγωγής (40) διατίθεται στο υπόστρωμα ημιαγωγών για να έχει μια πρώτη ναρκωμένη περιοχή (34) για τη λήψη ενός ρεύματος και μια δεύτερη ναρκωμένη περιοχή (24) για τη δρομολόγηση του ρεύματος στο κανάλι διεξαγωγής.
