A method for image reversal in semiconductor processing includes forming a
first implant mask layer upon a semiconductor substrate and forming a
patterned photoresist layer over the first implant mask layer. Portions of
the first implant mask layer not covered by the patterned photoresist
layer are removed so as to expose non-patterned portions of the substrate.
The photoresist layer is then removed, and a second implant mask layer is
formed over the non-patterned portions of the substrate, wherein the first
implant mask layer has an etch selectivity with respect to the second
implant mask layer. The remaining portions of the first implant mask layer
are removed to expose a reverse image of the substrate, including
initially patterned portions of the substrate.
Un metodo per l'inversione di immagine nell'elaborazione a semiconduttore include formare un primo strato della mascherina del implant su un substrato a semiconduttore e formare un'eccedenza modellata di strato di photoresist il primo strato della mascherina del implant. Le parti del primo strato della mascherina del implant non coperto dallo strato di photoresist modellato sono rimosse in modo da esporre le parti non-modellate del substrato. Lo strato di photoresist allora è rimosso e un secondo strato della mascherina del implant è eccedenza formata le parti non-modellate del substrato, in cui il primo strato della mascherina del implant ha una selettività incissione all'acquaforte riguardo al secondo strato della mascherina del implant. Le parti restanti del primo strato della mascherina del implant sono rimosse per esporre un'immagine d'inversione del substrato, compreso le parti inizialmente modellate del substrato.
