Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same

   
   

A porous, low-k dielectric film that has good mechanical properties as well as a method of fabricating the film and the use of the film as a dielectric layer between metal wiring features are provided. The porous, low-k dielectric film includes a first phase of monodispersed pores having a diameter of from about 1 to about 10 nm that are substantially uniformly spaced apart and are essentially located on sites of a three-dimensional periodic lattice; and a second phase which is solid surrounding the first phase. Specifically, the second phase of the film includes (i) an ordered element that is composed of nanoparticles having a diameter of from about 1 to about 10 nm that are substantially uniformly spaced apart and are essentially arranged on sites of a three-dimensional periodic lattice, and (ii) a disordered element comprised of a dielectric material having a dielectric constant of about 2.8 or less.

Una pellicola dielettrica porosa e bassa-K che ha buone proprietà meccaniche così come un metodo di fabbricare la pellicola e l'uso della pellicola mentre uno strato dielettrico fra le caratteristiche dei collegamenti del metallo è fornito. La pellicola dielettrica porosa e bassa-K include una prima fase di monodispersed i pori che hanno un diametro di circa 1 a circa 10 nm che sono spaziati sostanzialmente uniformemente a parte ed essenzialmente sono situati sui luoghi di una grata periodica tridimensionale; e una seconda fase che è solida circondando la prima fase. Specificamente, la seconda fase della pellicola include (i) un elemento ordinato che si compone di nanoparticles che hanno un diametro di circa 1 a circa 10 nm che sono spaziati sostanzialmente uniformemente a parte ed essenzialmente sono organizzati sui luoghi di una grata periodica tridimensionale e (ii) un elemento disordinato ha contenuto un materiale dielettrico che ha un costante dielettrico di circa 2.8 o di meno.

 
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