A semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the
same are disclosed. The semiconductor comprises a light
scattering-deflecting layer located on a semiconductor layer having a
scraggly surface. Light is deflected due to the difference of refractive
index when the light enters the semiconductor layer from the light
scattering-deflecting layer, and the light scatters when the light enters
the scraggly surface of the semiconductor layer, thereby enabling the
semiconductor light emitting device to emit more light so as to increase
the light emitting efficiency of the semiconductor light emitting device.
Un dispositivo que emite ligero del semiconductor y un método para fabricar igual se divulgan. El semiconductor abarca una capa dispersar-que desvi'a ligera situada en una capa del semiconductor que tiene una superficie scraggly. La luz es desviado debido a la diferencia del índice de refracción cuando la luz incorpora la capa del semiconductor de la capa dispersar-que desvi'a ligera, y de las dispersiones ligeras cuando la luz incorpora la superficie scraggly de la capa del semiconductor, de tal modo permitiendo al dispositivo que emite ligero del semiconductor emitir más ligero para aumentar la luz que emite la eficacia del dispositivo que emite ligero del semiconductor.
