Infrared generation in semiconductor lasers

   
   

Infrared generation is disclosed. A first laser field having a first frequency associated with a first interband transition is generated. A second laser field having a second frequency associated with a second interband transition is generated. The generation of the first laser field occurs substantially simultaneously with the generation of the second laser field. A third laser field is generated from the first laser field and the second laser field. The third laser field has a third frequency associated with an intersubband transition. The third frequency is substantially equivalent to a difference between the second frequency and the first frequency.

De infrarode generatie wordt onthuld. Een eerste lasergebied dat een eerste frequentie verbonden aan een eerste interband overgang heeft wordt geproduceerd. Een tweede lasergebied dat een tweede frequentie verbonden aan een tweede interband overgang heeft wordt geproduceerd. De generatie van het eerste lasergebied komt wezenlijk gelijktijdig met de generatie van het tweede lasergebied voor. Een derde lasergebied wordt geproduceerd van het eerste lasergebied en het tweede lasergebied. Het derde lasergebied heeft een derde frequentie verbonden aan een intersubbandovergang. De derde frequentie is wezenlijk gelijkwaardig aan een verschil tussen de tweede frequentie en de eerste frequentie.

 
Web www.patentalert.com

< Wavelength locker and wavelength discriminating apparatus

< Diode laser module and application equipment

> Quantum dot vertical cavity surface emitting laser

> Semiconductor laser device having improved output power characteristics

~ 00127