Semiconductor laser diodes, particularly high power AlGaAs-based
ridge-waveguide laser diodes, are often used in opto-electronics as
so-called pump laser diodes for fiber amplifiers in optical communication
lines. To provide the desired high power output and stability of such a
laser diode and avoid degradation during use, the present invention
concerns an improved design of such a device, the improvement in
particular significantly minimizing or avoiding (front) end section
degradation of such a laser diode and significantly increasing long-term
stability compared to prior art designs. This is achieved by establishing
one or two "unpumped end sections" of the laser diode. One preferred way
of providing such an unpumped end section at one of the laser facets (10,
12) is to insert an isolation layer (11, 13) of predetermined position,
size, and shape between the laser diode's semiconductor material and the
usually existing metallization (6).
I diodi del laser a semiconduttore, specialmente alta alimentazione AlGaAs-hanno basato i diodi del laser della cresta-guida di onde, spesso sono usati in optoelettronica come cosiddetti diodi del laser della pompa per gli amplificatori della fibra nelle linee di comunicazione ottiche. Per fornire l'uscita di alta alimentazione e la stabilità volute di un tal diodo del laser e per evitare la degradazione durante l'uso, la presente invenzione interessa una progettazione migliorata di un tal dispositivo, il miglioramento in particolare che minimizza significativamente o evitando la degradazione (anteriore) della sezione dell'estremità di un tal diodo del laser e significativamente aumentando la stabilità di lunga durata confrontata ad arte anteriore progetta. Ciò è realizzata stabilendo uno o due "unpumped le sezioni dell'estremità" del diodo del laser. Uno ha preferito il senso di fornire tale unpumped la sezione dell'estremità ad una delle sfaccettature del laser (10, 12) deve inserire uno strato di isolamento (11, 13) della posizione, del formato e della figura predeterminati fra il materiale a semiconduttore del diodo del laser e la metalizzazione solitamente attuale (6).
