Magnetoresistive memory device assemblies

   
   

The invention includes a construction comprising an MRAM device between a pair of conductive lines. Each of the conductive lines can generate a magnetic field encompassing at least a portion of the MRAM device. Each of the conductive lines is surrounded on three sides by magnetic material to concentrate the magnetic fields generated by the conductive lines at the MRAM device. The invention also includes a method of forming an assembly containing MRAM devices. A plurality of MRAM devices are formed over a substrate. An electrically conductive material is formed over the MRAM devices, and patterned into a plurality of lines. The lines are in a one-to-one correspondence with the MRAM devices and are spaced from one another. After the conductive material is patterned into lines, a magnetic material is formed to extend over the lines and within spaces between the lines.

Η εφεύρεση περιλαμβάνει μια κατασκευή περιλαμβάνοντας μια συσκευή MRAM μεταξύ ενός ζευγαριού των αγώγιμων γραμμών. Κάθε μια από τις αγώγιμες γραμμές μπορεί να παραγάγει ένα μαγνητικό πεδίο που καλύπτει τουλάχιστον μια μερίδα της συσκευής MRAM. Κάθε μια από τις αγώγιμες γραμμές περιβάλλεται σε τρεις πλευρές από το μαγνητικό υλικό για να συγκεντρώσει τα μαγνητικά πεδία που παράγονται από τις αγώγιμες γραμμές στη συσκευή MRAM. Η εφεύρεση περιλαμβάνει επίσης μια μέθοδο μια συνέλευση που περιέχει τις συσκευές MRAM. Μια πολλαπλότητα των συσκευών MRAM διαμορφώνεται πέρα από ένα υπόστρωμα. Ένα ηλεκτρικά αγώγιμο υλικό διαμορφώνεται πέρα από τις συσκευές MRAM, και διαμορφώνεται σε μια πολλαπλότητα των γραμμών. Οι γραμμές είναι σε μια ένα προς ένα αλληλογραφία με τις συσκευές MRAM και χωρίζονται κατά διαστήματα μεταξύ τους. Αφότου διαμορφώνεται το αγώγιμο υλικό στις γραμμές, ένα μαγνητικό υλικό διαμορφώνεται για να επεκταθεί πέρα από τις γραμμές και μέσα στα διαστήματα μεταξύ των γραμμών.

 
Web www.patentalert.com

< Method for diagnosing failure of a manufacturing apparatus and a failure diagnosis system

< Heterojunction field effect transistor

> Semiconductor device having a capacitor comprising an electrode with an iridium oxide film as an oxygen barrier film

> Nonvolatile semiconductor memory device

~ 00127