Disclosed is a nonvolatile semiconductor memory device in which a
disturbance phenomenon can be prevented. A nonvolatile semiconductor
memory device has a semiconductor substrate, and a floating gate electrode
formed on the semiconductor substrate via a gate insulating film. The
floating gate electrode includes a lower conductive layer formed on the
gate insulating film and having a first width W1 in a channel width
direction, and an upper conductive layer formed on the lower conductive
layer and having a second width W2 wider than the first width W1 in the
channel width direction.
Révélé est un dispositif non-volatile de mémoire à semiconducteurs en lequel un phénomène de perturbation peut être empêché. Un dispositif non-volatile de mémoire à semiconducteurs a un substrat de semi-conducteur, et une électrode de porte flottante formée sur le substrat de semi-conducteur par l'intermédiaire d'un film isolant de porte. L'électrode de porte flottante inclut une couche conductrice inférieure formée sur le film isolant de porte et avoir une première largeur W1 dans une direction de largeur de canal, et une couche conductrice supérieure formée sur la couche conductrice inférieure et avoir une deuxième largeur W2 plus au loin que la première largeur W1 dans la direction de largeur de canal.
