Method for manufacturing an optical device with a defined total device stress

   
   

A method for manufacturing an optical device with a defined total device stress and a therefrom resulting defined birefringence and a therefrom resulting defined optical polarization dependence is disclosed. In a preferred embodiment, a lower cladding layer of an amorphous material with a first refractive index is provided and above that an upper cladding layer of an amorphous material with a second refractive index, which latter is manufactured from a material which is tunable in its stress. Between the lower and upper cladding layer an optical waveguide core is manufactured comprising an amorphous material having a third refractive index which is larger than the first and second refractive index. The optical waveguide core is thermally annealed, after which it has a defined waveguide core stress. The upper cladding layer is manufactured to have a cladding layer stress that together with the waveguide core stress results in the total device stress.

Une méthode pour fabriquer un circuit optique avec un effort total défini de dispositif et une biréfringence définie de là résultante et une dépendance optique définie de là résultante de polarisation est révélée. Dans un mode de réalisation préféré, une couche inférieure de revêtement d'un matériel amorphe avec un premier indice de réfraction est fournie et au-dessus de celle par couche supérieure de revêtement d'un matériel amorphe en deuxième indice de réfraction, qui dernier est manufacturé d'un matériel qui est réglable dans son effort. Entre le revêtement inférieur et supérieur posez un noyau optique de guide d'ondes est manufacturé en comportant un matériel amorphe ayant un troisième indice de réfraction qui est plus grand que le premier et deuxième indice de réfraction. Le noyau optique de guide d'ondes est thermiquement recuit, après quoi il a un effort défini de noyau de guide d'ondes. La couche supérieure de revêtement est fabriquée pour avoir un effort de couche de revêtement qui ainsi que les résultats d'effort de noyau de guide d'ondes dans tout le effort de dispositif.

 
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