A non-volatile semiconductor memory device comprises a plurality of blocks
each having a plurality of memory cells to be erased at a time and a
decoder for selecting the memory cells, each of the blocks having a block
decoder for latching a selection signal thereof in pre-programming and for
selecting all of the latched blocks by the selection signal at the same
time, a sense amplifier, and an address control circuit for controlling a
sequence, the sequence including counting addresses of the memory cells in
erasing and erasing all of the selected memory cells after
pre-programming, all of the blocks having the latched selection signal
being controlled to be collectively erased by the address control circuit.
Un dispositivo de memoria permanente de semiconductor abarca una pluralidad de bloques cada uno que tiene una pluralidad de células de memoria que se borrarán a la vez y de un decodificador para seleccionar las células de memoria, cada uno de los bloques que tienen un decodificador del bloque para trabar una señal de la selección de eso en la preprogramación y para seleccionar todos los bloques trabados por la señal de la selección en la misma época, un amplificador del sentido, y un circuito de control de dirección para controlar una secuencia, la secuencia incluyendo la cuenta de las direcciones de las células de memoria en borrar y borrar todas las células de memoria seleccionadas después de preprogramar, todos los bloques que tienen la señal trabada de la selección que es controlada para ser borrado colectivamente por el control de dirección circuito.
