An electro-optical device having high operation performance and
reliability, and a manufacturing method thereof. A TFT structure which is
strong agains hot carrier injection is realized by disposing a Lov region
207 in an n-channel TFT 203 which forms a driver circuit. Further, Loff
regions 217 to 220 and offset region are disposed in an n-channel TFT 304
which forms a pixel section, and a TFT structure of low OFF current value
is realized. Further, by reducing the n-type impurity element contained in
Loff regions 217 to 220 to approximately 1.times.10.sup.16 to
5.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3, further reduction of OFF current can be
performed.
Un dispositif électro-optique ayant l'exécution et la fiabilité élevées d'opération, et une méthode de fabrication en. Une structure de TFT qui est injection de porteur chaude d'agains forts est réalisée en disposant une région 207 de Lov dans un n-canal TFT 203 qui forme un circuit de conducteur. De plus, les régions de Loff 217 à 220 et la région d'excentrage sont disposées dans un n-canal TFT 304 qui forme une section de Pixel, et une structure de TFT du bas OUTRE de la valeur courante est réalisée. De plus, en réduisant le n-type élément d'impureté contenu dans les régions de Loff 217 à 220 approximativement à 1.times.10.sup.16 à 5.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3, davantage de réduction de OUTRE de courant peut être effectuée.
