A high-frequency device comprises a dielectric substrate, a filter element
which has a plurality of resonating elements made of a first
superconductor film on the dielectric substrate, a dielectric plate which
faces the dielectric substrate substantially in parallel with the
substrate and covers the plurality of resonating elements, and a spacing
adjusting member configured to control the spacing between the dielectric
plate and the dielectric substrate. The high-frequency device enables the
pass-band frequency of the filter to be adjusted with high accuracy
without variations in the skirt characteristic or ripple characteristic.
Eine Hochfrequenzvorrichtung enthält ein dielektrisches Substrat, ein Filterelement, das eine Mehrzahl der mitschwingenden Elemente hat, die von einem ersten superconductor Film auf dem dielektrischen Substrat gebildet werden, eine dielektrische Platte, die das dielektrische Substrat im wesentlichen parallel zu dem Substrat gegenüberstellt und die Mehrzahl der mitschwingenden Elemente umfaßt, und einen Abstand, der das Mitglied justiert, das zusammengebaut wird, um den Abstand zwischen der dielektrischen Platte und dem dielektrischen Substrat zu steuern. Die Hochfrequenzvorrichtung ermöglicht der Durchlaßbereichfrequenz des Filters, mit hoher Genauigkeit ohne Schwankungen der Rockeigenschaft oder der Kräuselungeigenschaft justiert zu werden.
