A magneto-resistive effect memory element according to the present
invention includes a first ferromagnetic film; a second ferromagnetic
film; a first nonmagnetic film provided between the first ferromagnetic
film and the second ferromagnetic film, a first conductive film for
generating a magnetic field for causing magnetization inversion in at
least one of the first ferromagnetic film and the second ferromagnetic
film, the first conductive film not being electrically in contact with the
first ferromagnetic film or the second ferromagnetic film; and a second
conductive film and a third conductive film for supplying an electric
current to the first ferromagnetic film, the first nonmagnetic film, and
the second ferromagnetic film. The first ferromagnetic film and the second
ferromagnetic film have different magnetization inversion characteristics
with respect to the magnetic field, and the first nonmagnetic film
contains at least a nitride.
Um elemento magneto-resistive da memória do efeito de acordo com a invenção atual inclui uma primeira película ferromagnetic; uma segunda película ferromagnetic; uma primeira película nonmagnetic forneceu entre a primeira película ferromagnetic e a segunda película ferromagnetic, uma primeira película condutora para gerar um campo magnético para causar o inversion da magnetização ao menos em uma da primeira película ferromagnetic e da segunda película ferromagnetic, a primeira película condutora que não é eletricamente contata dentro com a primeira película ferromagnetic ou a segunda película ferromagnetic; e uma segunda película condutora e uma terceira película condutora para fornecer uma corrente elétrica à primeira película ferromagnetic, à primeira película nonmagnetic, e à segunda película ferromagnetic. A primeira película ferromagnetic e a segunda película ferromagnetic têm características diferentes do inversion da magnetização com respeito ao campo magnético, e a primeira película nonmagnetic contem ao menos um nitride.
