A current-in-the-plane (CIP) giant magnetoresistive (GMR) spin valve sensor
has its free layer magnetization stabilized by longitudinal biasing
through the use of free layer end-region antiferromagnetic exchange
coupling. An antiparallel coupling (APC) layer, such as Ru, is formed on
the free layer and a ferromagnetic bias layer is formed on the APC layer.
The bias layer is a continuous layer that extends across the entire width
of the free layer. The central region of the bias layer is formed of
nonmagnetic oxides of one or more of the elements making up the bias
layer, with the bias layer end regions remaining ferromagnetic. The
oxidized central region of the bias layer defines the central active
trackwidth region of the underlying free layer. The ferromagnetic end
regions of the bias layer are antiferromagnetically coupled across the APC
layer to the corresponding underlying free layer end regions to provide
the longitudinal biasing.
Датчик клапана закрутки в настоящее время-в-$$$-PLOSKOSTI (cip) гигантский магниторезистивный (GMR) имеет свое свободно замагничивание слоя стабилизированное продольный склонять через пользу соединения обменом свободно конц-zony слоя antiferromagnetic. Слой соединения antiparallel (apc), such as ru, сформирован на свободно слое и сегнетомагнитный косой слой сформирован на слое apc. Косым слоем будет непрерывный слой удлиняет через всю ширину свободно слоя. Центральная зона косого слоя сформирована немагнитных окисей one or more из природная стихия делая вверх по косому слою, с сегнетомагнитным косых зон конца слоя остальное. Окисленная центральная зона косого слоя определяет центральную активно зону trackwidth основного свободно слоя. Сегнетомагнитные зоны конца косого слоя antiferromagnetically соединены через слой apc к соответствуя основным свободно зонам конца слоя для того чтобы обеспечить продольный склонять.
