A first layer of titanium nitride (TiN) is formed on a semiconductor
structure, such as an interconnect via. Then, a second layer of TiN is
formed on the first layer of TiN. The first layer of TiN is amorphous. The
second layer of TiN is polycrystalline, having a mixed grain orientation.
Finally, an aluminum film is formed on the second layer of titanium
nitride. Optionally, a titanium silicide layer is formed on the
semiconductor structure prior to the step of forming the first layer of
titanium nitride. Interconnects formed according to the invention have
polycrystalline aluminum films with grain sizes of approximately less than
0.25 microns.
Una primera capa del nitruro titanium (lata) se forma en una estructura del semiconductor, tal como una interconexión vía. Entonces, una segunda capa de lata se forma en la primera capa de lata. La primera capa de lata es amorfa. La segunda capa de lata es polycrystalline, teniendo una orientación mezclada del grano. Finalmente, una película de aluminio se forma en la segunda capa del nitruro titanium. Opcionalmente, una capa titanium del silicide se forma en la estructura del semiconductor antes del paso de formar la primera capa del nitruro titanium. Interconecta formado según la invención tienen películas de aluminio polycrystalline con tamaños de grano de aproximadamente menos de 0.25 micrón.
