A method of fabricating a device with spherical quantum dots by a
combination of gas condensation and an epitaxial technique includes the
following steps: (a) a quantum dots growth step, when the quantum dots are
grown on the substrate by a gas condensation method; (b) a quantum dots
processing step, when an ultrasonic cleaner is used with an organic
solvent to vibrate the substrate in which quantum dots have been grown in
step (a), or the substrate in which quantum dots have been grown in step
(a) is thermally annealed at a high temperature to obtain a thin layer of
quantum dots; and (c) an epitaxial layer cover step, when an epitaxial
layer is covered over the quantum dots processed by step (b) by an
epitaxial technique. By virtue of the above processes, a device with
completely spherical quantum dots is obtained.
Um método de fabricar um dispositivo com quantum esférico pontilha por uma combinação da condensação do gás e uma técnica epitaxial inclui as seguintes etapas: (a) um o quantum pontilha a etapa do crescimento, quando os pontos do quantum são crescidos na carcaça por um método da condensação do gás; (b) um o quantum pontilha a etapa processando, quando um líquido de limpeza ultra-sônico é usado com um solvente orgânico vibrar a carcaça em que os pontos do quantum estiveram crescidos na etapa (a), ou a carcaça em que os pontos do quantum foram crescidos na etapa (a) é recozida tèrmica em uma alta temperatura para obter uma camada fina de pontos do quantum; e (c) uma etapa epitaxial da tampa da camada, quando uma camada epitaxial for coberta sobre os pontos do quantum processados pela etapa (b) por uma técnica epitaxial. Pelo virtue dos processos acima, um dispositivo com os pontos completamente esféricos do quantum é obtido.