A trilayer seed layer structure is employed between a first read gap layer
and a spin valve sensor for improving the magnetic and giant
magnetoresistive properties and the thermal stability. In the spin valve
sensor, the trilayer seed layer structure is located between a first read
gap layer and a ferromagnetic free layer. The antiferromagnetic pinning
layer is preferably nickel manganese (Ni--Mn). The trilayer seed layer
structure includes a first seed layer that is a first metallic oxide, a
second seed layer that is a second metallic oxide and a third seed layer
that is a nonmagnetic metal. A preferred embodiment is a first seed layer
of nickel oxide (NiO), a second seed layer of nickel manganese oxide
(NiMnO.sub.x), and a third seed layer of copper (Cu).
Een de laagstructuur van het trilayerzaad is aangewend tussen een eerste gelezen hiaatlaag en een sensor van de rotatieklep voor het verbeteren van de magnetische en reuze magnetoresistive eigenschappen en de thermische stabiliteit. In de sensor van de rotatieklep, wordt de de laagstructuur van het trilayerzaad gevestigd tussen een eerste gelezen hiaatlaag en een ferromagnetische vrije laag. De antiferromagnetic het spelden laag is bij voorkeur nikkelmangaan (Ni -- Mn). De de laagstructuur van het trilayerzaad omvat een eerste zaadlaag die een eerste metaaloxyde, een tweede zaadlaag is die een tweede metaaloxyde en een derde zaadlaag is die een niet-magnetisch metaal is. Een aangewezen belichaming is een eerste zaadlaag van nikkeloxyde (NiO), een tweede zaadlaag van het oxyde van het nikkelmangaan (NiMnO.sub.x), en een derde zaadlaag van koper (Cu).
