A method of planarizing a metal conductive layer on a substrate is
provided. In one embodiment, a substrate having a metal conductive layer
disposed on a top surface of the substrate is provided on a substrate
support. The substrate support is rotated and the top surface of the
substrate is contacted with a liquid etching composition. The metal
conductive layer is then exposed to an etchant gas in order to planarize
the top surface of the metal conductive layer. Also provided is an
apparatus for etching a metal conductive layer on a substrate. The
apparatus comprises a container, a substrate support disposed in the
container, a rotation actuator attached to the substrate support, and a
fluid delivery assembly disposed in the container.
Une méthode de planarizing une couche conductrice en métal sur un substrat est fournie. Dans une incorporation, un substrat ayant une couche conductrice en métal disposée sur une surface supérieure du substrat est fourni sur un appui de substrat. L'appui de substrat est tourné et la surface supérieure du substrat est entrée en contact avec une composition liquide gravure à l'eau-forte. La couche conductrice en métal est alors exposée à un gaz etchant planarize la surface supérieure de la couche conductrice en métal. En outre fourni est un appareil pour graver à l'eau-forte une couche conductrice en métal sur un substrat. L'appareil comporte un récipient, un appui de substrat disposé dans le récipient, un déclencheur de rotation attaché à l'appui de substrat, et une livraison liquide disposée dans le récipient.
