Low silicon-outgassing resist for bilayer lithography

   
   

The silicon-containing resist compositions which have low silicon outgassing and high resolution lithographic performance, especially in bilayer or multilayer lithographic applications using 193 nm or shorter wavelength imaging radiation are enabled by the presence of an imaging polymer having silicon-containing, non-acid-labile pendant groups. The resist compositions of the invention are preferably further characterized by the substantial absence of silicon-containing acid-labile moieties.

Кремни-soderjat6 сопротивляет составам имеют низкий outgassing кремния и high resolution литографский представление, специально в bilayer или разнослоистые литографские применения использующ 193 nm или более скоро радиация воображения длины волны включены присутсвием полимера воображения имея кремни-soderja5, нон-кислот-labil6nye привесные группы. Составы сопротивлять вымысла предпочтительн дальнейшие, котор характеризует существенное отсутствие кремни-soderja кислот-labil6nyx moieties.

 
Web www.patentalert.com

< Handle for vacuum cleaner

< Investment casting

> Battery separator containing efficiency improving additives

> Mat-faced gypsum board

~ 00123