A low noise, high sensitivity and wide dynamic range uncooled type infrared
sensor can effectively reduce the influence of fluctuations of the gate of
the amplifier transistor. The infrared sensor comprises an imaging region
containing thermoelectric conversion pixels arranged two-dimensionally in
the form of a matrix of a plurality of row and a plurality of columns on a
semiconductor substrate to detect incident infrared rays, column selection
lines, vertical signal lines, said column selection lines and said
vertical signal lines being arranged the imaging region, amplifier
transistors configured to be modulated by the respective signal voltages
generated in the signal lines, storage capacities connected respectively
to the drains of the amplifier transistors and configured to store signal
charges from the transistors, a plurality of reset circuits for resetting
the drain potentials of said amplifier transistors and read circuits for
reading the respective signal charges stored in said storage capacities,
coupling capacitors being arranged between the vertical signal lines and
the gate of amplifier transistors, sampling transistors being connected
between the drains and the gates of said amplifier transistors.
Un ruido bajo, una alta sensibilidad y un tipo sin enfriar ancho sensor infrarrojo de la gama dinámica pueden reducir con eficacia la influencia de las fluctuaciones de la puerta del transistor del amplificador. El sensor infrarrojo abarca una región de la proyección de imagen que contiene los pixeles termoeléctricos de la conversión dispuestos two-dimensionally en la forma de una matriz de una pluralidad de fila y de una pluralidad de columnas en un substrato del semiconductor para detectar los rayos infrarrojos del incidente, las líneas de selección de la columna, las líneas de señales verticales, las líneas de selección dichas de la columna y las líneas de señales verticales dichas que son arregladas la región de la proyección de imagen, transistores del amplificador configurados para ser modulado por los voltajes respectivos de la señal generados en las líneas de señales, memorias conectadas respectivamente con los drenes de los transistores del amplificador y configuradas para almacenar las cargas de los transistores, una pluralidad de la señal de circuitos del reajuste para reajustar los potenciales del dren de los transistores dichos del amplificador y de circuitos leídos para la lectura cargas respectivas de la señal almacenadas en las memorias dichas, los condensadores de acoplador siendo arreglado entre las líneas de señales verticales y la puerta de los transistores del amplificador, muestreando los transistores que son conectados entre los drenes y las puertas de los transistores dichos del amplificador.
