A method for forming within a substrate employed within a microelectronics
fabrication an electrical interconnection cross-over bridging between
conductive regions separated by non-conductive regions formed within the
substrate. There is formed over a substrate provided with conductive and
non-conductive regions a blanket dielectric layer and a blanket
polysilicon layer. After patterning the polysilicon and dielectric layers.
A portion of the dielectric layer at the periphery of the polysilicon
layer is etched away, leaving a gap between the polysilicon patterned
layer and the underlying substrate contact region. There is formed over
the substrate a layer of refractory metal and after rapid thermal
annealing, there is formed a surface layer of refractory metal silicide
over the surfaces of the polysilicon layer and within the gap between the
polysilicon layer and the substrate, completing the electrical connection.
Um método para dar forma dentro de uma carcaça empregou dentro de uma fabricação que da microeletrônica um cross-over elétrico da interconexão que constrói uma ponte sobre entre regiões condutoras separou por regiões non-conductive deu forma dentro da carcaça. É dado forma sobre uma carcaça fornecida com as regiões condutoras e non-conductive um a camada dieléctrica geral e uma camada geral do polysilicon. Após ter modelado as camadas do polysilicon e do dielétrico. Uma parcela da camada dieléctrica na periferia da camada do polysilicon é gravada afastado, deixando uma abertura entre a camada modelada polysilicon e a região subjacente do contato da carcaça. É dado forma sobre a carcaça um a camada de metal refratário e após o recozimento térmico rápido, é dado forma uma camada de superfície de silicide refratário do metal sobre as superfícies da camada do polysilicon e dentro da abertura entre a camada do polysilicon e a carcaça, terminando a conexão elétrica.
