Disclosed are a fast, highly-integrated and highly-reliable
magnetoresistive random access memory (MRAM) and a semiconductor device
which uses the MRAM. The semiconductor device performs the read-out
operation of the MRAM using memory cells for storing information by using
a change in magnetoresistance of a magnetic tunnel junction (MTJ) element
with a high S/N ratio. Each memory cell includes an MTJ element and a
bipolar transistor. The read-out operation is carried out by selecting a
word line, amplifying a current flowing in the MTJ element of a target
memory cell by the bipolar transistor and outputting the-amplified current
to an associated read data line.
São divulgados uma memória de acesso aleatório magnetoresistive rápida, elevado-integrada e elevado-de confiança (MRAM) e um dispositivo de semicondutor que use o MRAM. O dispositivo de semicondutor executa a operação do read-out do MRAM usando pilhas de memória para armazenar a informação usando uma mudança na magnetorresistência de um elemento magnético da junção do túnel (MTJ) com uma relação elevada de S/N. Cada pilha de memória inclui um elemento de MTJ e um transistor bipolar. A operação do read-out é realizada selecionando uma linha da palavra, amplificando fluir atual no elemento de MTJ de uma pilha de memória do alvo pelo transistor bipolar e outputting a corrente-AMPLIFICADA a uma linha de dados lidos associada.
