A CMOS reference circuit using field effect transistors (FETs) is
described. A first plurality of FETs is coupled in series, source node to
drain node. A second plurality of FETs is also coupled in series, source
node to drain node. The first and second plurality of FETs are coupled
such that a specified total voltage drop across the first plurality of
FETs is realizable. The combination of the first and second plurality of
FETs are usable as a replacement for a resistor. The circuit can also
include a FET configured so that it is usable as a replacement for a
diode.
Un circuit de référence de CMOS à l'aide des transistors à effet de champ (FETS) est décrit. Une première pluralité de FETS est couplée en série, noeud de source pour vidanger le noeud. Une deuxième pluralité de FETS est également couplée en série, noeud de source pour vidanger le noeud. La première et deuxième pluralité de FETS sont couplées tels qu'une chute de tension totale indiquée à travers la première pluralité de FETS est réalisable. La combinaison de la première et deuxième pluralité de FETS sont utilisable comme remplacement pour une résistance. Le circuit peut également inclure un FET configuré de sorte qu'il soit utilisable comme remplacement pour une diode.
