A method for fabricating a buried semiconductor laser device including the
steps of: forming a mesa structure including a bottom cladding layer, an
active layer and a top cladding layer overlying an n-type semiconductor
substrate; and forming a current confinement structure by growing a p-type
current blocking layer and an n-type current blocking layer on each side
surface of the mesa structure and on a skirt portion extending from the
each side surface, the p-type current blocking layer being fabricated by
using a raw material gas containing a group III element gas and a group V
element gas at a molar ratio between 60 and 350 inclusive. In this method,
the semiconductor laser device including the current confinement structure
with the specified leakage current path width can be fabricated with the
excellent reproducibility.
Μια μέθοδος για μια θαμμένη συσκευή λέιζερ ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένων των βημάτων: διαμόρφωση μιας δομής mesa συμπεριλαμβανομένου ενός στρώματος κατώτατης επένδυσης, ενός ενεργού στρώματος και ενός κορυφαίου στρώματος επένδυσης που επικαλύπτουν ένα υπόστρωμα ημιαγωγών ν-τύπων και διαμορφώνοντας μια τρέχουσα δομή περιορισμού με την ανάπτυξη ενός τρέχοντος στρώματος φραξίματος π-τύπων και ενός τρέχοντος στρώματος φραξίματος ν-τύπων σε κάθε δευτερεύουσα επιφάνεια της δομής mesa και σε μια μερίδα φουστών που επεκτείνεται από την κάθε δευτερεύουσα επιφάνεια, το τρέχον στρώμα φραξίματος π-τύπων που κατασκευάζεται με τη χρησιμοποίηση μιας πρώτης ύλης που περιέχει αέριο μια ομάδα ΙΙΙ στοιχείο αέριο και μια ομάδα Β στοιχείο αέριο σε μια μοριακή αναλογία μεταξύ 60 και 350 συμπεριλαμβανόντων. Σε αυτήν την μέθοδο, η συσκευή λέιζερ ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης της τρέχουσας δομής περιορισμού με το διευκρινισμένο πλάτος πορειών διαρροής τρέχον μπορεί να κατασκευαστεί με την άριστη δυνατότητα αναπαραγωγής.
