High-voltage transistor with multi-layer conduction region

   
   

A high voltage insulated gate field-effect transistor includes an insulated gate field-effect device structure having a source and a drain, the drain being formed with an extended well region having one or more buried layers of opposite conduction type sandwiched therein. The one or more buried layers create an associated plurality of parallel JFET conduction channels in the extended portion of the well region. The parallel JFET conduction channels provide the HVFET with a low on-state resistance.

Μια μονωμένη υψηλή τάση field-effect πυλών κρυσταλλολυχνία περιλαμβάνει μια μονωμένη field-effect πυλών δομή συσκευών που έχει μια πηγή και έναν αγωγό, ο αγωγός που διαμορφώνονται με μια εκτεταμένη καλά περιοχή που έχει ένα ή περισσότερα θαμμένα στρώματα του αντίθετου τύπου διεξαγωγής που στριμώχνεται εκεί μέσα. Τα ένα ή περισσότερα θαμμένα στρώματα δημιουργούν μια σχετική πολλαπλότητα των παράλληλων καναλιών διεξαγωγής JFET στην εκτεταμένη μερίδα της περιοχής φρεατίων. Τα παράλληλα κανάλια διεξαγωγής JFET παρέχουν στο HVFET μια χαμηλή-ΚΡΑΤΙΚΉ αντίσταση.

 
Web www.patentalert.com

< Transistor having compensation zones enabling a low on-resistance and a high reverse voltage

< Superjunction device with improved avalanche capability and breakdown voltage

> High voltage MOS transistor with up-retro well

> Semiconductor substrate and its production method, semiconductor device comprising the same and its production method

~ 00122