A built-in self test (BIST) circuit and method is provided for testing
semiconductor memory. A linear feedback shift register (LFSR) is used for
addressing the memory locations to be tested. Test data is derived at
least partially from the address data generated from the linear feedback
shift register.
Un circuit et une méthode intégrés de l'essai d'art de l'auto-portrait (BIST) est donné pour la mémoire à semiconducteurs d'essai. Un registre à décalage linéaire de rétroaction (LFSR) est employé pour adresser les endroits de mémoire à examiner. L'essai est dérivé au moins partiellement des données d'adresse produites à partir du registre à décalage linéaire de rétroaction.
