The invention provides a susceptor with a built-in plasma generation
electrode that can make the throughput by a range of plasma processing of
a plate specimen uniform, and that has excellent plasma resistance,
thermal conductivity and durability, and a manufacturing method that can
obtain this susceptor with a built-in plasma generation electrode easily
and economically.
The susceptor with a built-in plasma generation electrode 11 of the present
invention comprises: a mounting plate 12 formed from a ceramic, whose
surface is a mounting surface 12a for mounting a plate specimen; a support
plate 14 which supports this mounting plate 12 and in which a fixing hole
13 is formed; a plasma generation electrode 15 provided between the
mounting plate 12 and the support plate 14; and a power supply terminal 16
provided in the fixing hole 13, wherein a region 21 in the vicinity of the
connection of the plasma generation electrode 15 to the power supply
terminal 16 has a lower resistance than the other region 22 of the plasma
generation electrode 15.
Die Erfindung versieht ein susceptor mit einer eingebauten Plasmaerzeugung Elektrode, die den Durchsatz durch eine Strecke der Plasmaverarbeitung einer Platte Probestückuniform bilden kann und das ausgezeichneten Plasmawiderstand, Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit hat und eine Produktionsmethode, die dieses susceptor mit einer eingebauten Plasmaerzeugung Elektrode leicht und ökonomisch erreichen kann. Das susceptor mit einer eingebauten Plasmaerzeugung Elektrode 11 der anwesenden Erfindung enthält: eine Montageplatte 12 bildete sich von einem keramischem, dessen Oberfläche eine Befestigungsfläche 12a für die Befestigung eines Platte Probestücks ist; eine Halteplatte 14, in der diese Montageplatte 12 stützt und, in welchem eine regelnbohrung 13 gebildet wird; eine Plasmaerzeugung Elektrode 15 stellte zwischen der Montageplatte 12 und der Halteplatte 14 zur Verfügung; und ein Spg.Versorgungsteilanschluß 16 stellte in der regelnbohrung 13 zur Verfügung, worin eine Region 21 in der Nähe des Anschlußes der Plasmaerzeugung Elektrode 15 zum Spg.Versorgungsteilanschluß 16 einen niedrigeren Widerstand als die andere Region 22 der Plasmaerzeugung Elektrode 15 hat.
