Methods for fabricating a layer of oxide on a silicon carbide layer are
provided by forming the oxide layer on the silicon carbide layer by
oxidizing the silicon carbide layer in an N.sub.2 O environment. A
predetermined temperature profile and/or a predetermined flow rate profile
of N.sub.2 O are provided during the oxidation. The predetermined
temperature profile and/or predetermined flow rate profile may be constant
or variable and may include ramps to steady state conditions. The
predetermined temperature profile and/or the predetermined flow rate
profile are selected so as to reduce interface states of the oxide/silicon
carbide interface with energies near the conduction band of SiC.
Methoden für das Fabrizieren einer Schicht des Oxids auf einer Silikonkarbidschicht werden von der Formung der Oxidschicht auf der Silikonkarbidschicht zur Verfügung gestellt, indem man die Silikonkarbidschicht in einem N.sub.2 O Klima oxidiert. Ein vorbestimmtes Temperaturprofil und/oder ein vorbestimmtes Strömungsgeschwindigkeitprofil von N.sub.2 O werden während der Oxidation zur Verfügung gestellt. Das vorbestimmte Temperaturprofil und/oder das vorbestimmte Strömungsgeschwindigkeitprofil können konstant oder Variable sein und können Rampen zu den Lagezuständen mit einschließen. Das vorbestimmte Temperaturprofil und/oder das vorbestimmte Strömungsgeschwindigkeitprofil werden vorgewählt, um Schnittstelle Zustände der oxide/silicon Karbidschnittstelle mit Energie nahe dem Leitungsband von SiC zu verringern.
