Semiconductor memory device having a small-sized memory chip and a decreased power-supply noise

   
   

The bit line overdrive circuit of the present invention comprises a VBLH potential generation circuit generating a bit line final potential relative to a VBLH power supply line for driving a sense amplifier, a charge adjusting capacitance C, a transistor for supplying an overdrive potential to the VBLH power supply line, and a transistor for connecting a PCS node to the VBLH power supply line. The charge pre-charged from the overdrive potential to the VBLH power supply line is shared among the capacitance of the above-noted circuit elements connected to the VBLH power supply line, the bit line capacitance, and the capacitance of a cell capacitor so as to form a VBLH power supply of a substantially one system, thereby avoiding the generation of a power supply noise caused by the power supply switching.

Die Spitze Linie Schnellgangstromkreis der anwesenden Erfindung enthält einen VBLH möglichen Erzeugung Stromkreis, der eine Spitze Linie abschließendes Potential im Verhältnis zu einer VBLH Spg.Versorgungsteillinie für das Fahren eines Richtung Verstärkers, der Aufladung einstellen Kapazitanz C, des Transistors auf das Liefern eines Schnellgangpotentials an die VBLH Spg.Versorgungsteillinie und des Transistors für das Anschließen eines PC Nullpunktes an die VBLH Spg.Versorgungsteillinie erzeugt. Die Aufladung, die vom Schnellgangpotential zur VBLH Spg.Versorgungsteillinie vorbelastet wird, wird unter der Kapazitanz der über-notierten Schaltkreiselemente geteilt, die an die VBLH Spg.Versorgungsteillinie, Spitze Leitungskapazität und die Kapazitanz eines Zelle Kondensators angeschlossen werden, um ein VBLH Spg.Versorgungsteil eines im wesentlichen eines Systems zu bilden, dadurch vermeidet man das Erzeugung Spg.Versorgungsteilgeräusche, die durch die Spg.Versorgungsteilschaltung verursacht werden.

 
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< Method and circuit for replicating data in a fiber channel network, or the like

< Trunking inter-switch links

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