Nonvolatile memory device with sense amplifier securing reading margin

   
   

In a sense amplifier, local I/O lines are maintained at a predetermined voltage by transistors. Transistors forming a current mirror supply an operating current according to a passing current which flows through transistors, to sense nodes. Transistors forming a current mirror extract an operating current according to the passing current which flows through transistors, from sense nodes. As a result, a voltage difference is generated in sense nodes in accordance with the operating current difference.

In un amplificatore di senso, le linee locali di I/O sono effettuate ad una tensione predeterminata dai transistori. I transistori che formano uno specchio corrente forniscono una corrente di funzionamento secondo una corrente passante che attraversa i transistori, per percepire i nodi. I transistori che formano uno specchio corrente estraggono una corrente di funzionamento secondo la corrente passante che attraversa i transistori, dai nodi di senso. Di conseguenza, una differenza di tensione è generata nei nodi di senso in conformità con la differenza della corrente di funzionamento.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic memory device

< Data memory with a plurality of memory banks

> Magnetic memory

> Apparatus, method and system for detection and recovery of missing wireless devices in communication systems

~ 00120