An insulation film is formed on a semiconductor substrate by a method
including the steps of: (i) introducing a source gas comprising a compound
composed of at least Si, C, and H into a chamber; (ii) introducing in
pulses an oxidizing gas into the chamber, wherein the source gas and the
oxidizing gas form a reaction gas; and (iii) forming an insulation film on
a semiconductor substrate by plasma treatment of the reaction gas. The
plasma treatment may be plasma CVD processing.
Пленка изоляции сформирована на субстрате полупроводника методом включая шаги: (i) вводил газ источника состоя из смеси составленной по крайней мере кремния, ч, и ю в камеру; (ii) вводил в ИМПАХ ульс окисляя газ в камеру, при котором газ источника и окислять наполняют газом форму газ реакции; и (iii) формирующ пленку изоляции на субстрате полупроводника обработкой плазмы газа реакции. Обработка плазмы может быть обрабатывать cvd плазмы.
