The present invention has an object to provide a photoreceptor array with
an excellent device property and no short fault between adjacent
photoreceptors and to provide a method of manufacturing such the
photoreceptor array with a high yield. On a transparent substrate (31), a
transparent electrode (32) and a p-type amorphous silicon layer (33) are
formed. An insulating layer (41) is deposited thereon to form a trench
(42). In the trench (42), an i-type amorphous silicon layer (34), an
n-type amorphous silicon layer (35) and an n-side electrode (36) are
buried in turn to form the photoreceptor array.
Die anwesende Erfindung hat einen Gegenstand, zum einer Fotorezeptorreihe mit einer ausgezeichneten Vorrichtung Eigenschaft und keiner kurzen Störung zwischen angrenzenden Fotorezeptoren zu versehen und einer Methode der Produktion so die Fotorezeptorreihe mit einem hohen Ergebnis zu versehen. Auf einem transparenten Substrat (31), werden eine transparente Elektrode (32) und eine Part formlose Silikonschicht (33) gebildet. Eine Isolierschicht (41) wird darauf niedergelegt, um einen Graben (42) zu bilden. Im Graben (42), werden eine Ichart formlose Silikonschicht (34), eine Nart formlose Silikonschicht (35) und eine Nseite Elektrode (36) der Reihe nach begraben, um die Fotorezeptorreihe zu bilden.
